Методом температурного перепада на беспрессовой аппаратуре "разрезная сфера" (БАРС) получены и исследованы кристаллы синтетического алмаза массой до 2,5 карат. Изучены основные нарушения реальной структуры алмаза, представленные трехмерными дефектами (включения тэнита, оксидов, силикатов, алмаза и флюида), двумерными (микродвойники, дефекты упаковки, зоны роста), линейными (дислокации) и точечными (дефектно-примесные центры). Экспериментально установлено закономерное изменение реальной структуры основных типов полученных кристаллов (Ib, IaA, IIa и IIb) от условий кристаллизации: температуры, скорости роста и состава алмазообразующей среды. В зависимости от пересыщения и дефектности кристаллов, тангенциальный механизм роста проявляется как спирально-слоевой, или рост по механизму двумерного зародышеобразования. На основе анализа современных методов получения алмаза, сделано заключение о значительной роли летучих компонентов в процессах алмазообразования. При обсуждении результатов работы показано, что наряду с "отжиговой" моделью образования А-дефектов в алмазе, экспериментально подтверждается и "ростовая" модель, предложенная ранее Е.В.Соболевым. Обоснован эффект избирательного захвата включений при кристаллизации алмаза. Рассмотрены отличия механизмов роста природных и синтетических алмазов.
